Intel acaba de anunciar una nueva técnica que permite duplicar la capacidad de almacenamiento de las células de memoria de cambio de fase. Y lo mejor de todo, su aplicación no incrementa los costes de fabricación. Este tipo de células difiere de las tecnologías de memoria de estado sólido como las aplicadas en memorias Flash o memorias de acceso aleatorio (RAM) ya que no usa electrones para almacenar datos. Las células de cambio de fase se basan en la ordenación de los átomos del material, que se conoce como su ‘estado físico’.
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