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El GIT (Georgia Institute of Technology) consigue uniones P-N de grafeno mediante monocapas[ING]

Han logrado desarrollar un método para dopar grafeno utilizando monocapas autoensambladas que modifican la interfaz de grafeno y su sustrato de soporte. Utilizando esta idea un equipo de investigadores del Instituto de Tecnología de Georgia ha creado uniones P-N de grafeno sin dañar la estructura mallada del material o reducir significativamente su movilidad electrón-agujero.

| etiquetas: grafeno , magia , transistores fet , georgia tech
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