Investigadores de la Universidad de Fudan, en Shanghái, han anunciado el desarrollo de la memoria Flash más rápida del mundo, marcando un hito sin precedentes en la historia de la computación. Bautizado como PoX (Phase-change Oxide), este nuevo tipo de memoria no volátil es capaz de realizar operaciones de escritura en tan solo 400 picosegundos, es decir, 0,0000000004 segundos. Para ponerlo en perspectiva, es unas 300.000 millones de veces más rápida que el parpadeo humano, que tarda aproximadamente 300 milisegundos.