Científicos chinos desarrollan una memoria flash 10.000 veces más rápida que la tecnología actual [ENG]

Un equipo de investigadores de la Universidad de Fudan ha construido el dispositivo semiconductor de almacenamiento más rápido jamás registrado, una memoria flash no volátil denominada "PoX" que programa un solo bit en 400 picosegundos (0,0000000004 s), unos 25.000 millones de operaciones por segundo. El resultado, publicado hoy en Nature, lleva la memoria no volátil a un dominio de velocidad reservado hasta ahora a las memorias volátiles más rápidas y establece un punto de referencia para el hardware de IA ávido de datos.