La revolución del internet-de-cosas está aquí y está aquí para quedarse. Desde cat boxes habilitados para Internet hasta estufas con Wi-Fi , los dispositivos inteligentes impregnan nuestras vidas a un ritmo cada vez mayor.
#0: ¿Para qué sirve esto? No troleo, simplemente soy ajeno al tema y sería interesante saber de forma resumida lo que hacen. Porque si, abren el chip, pero... ¿lo borran? ¿Para qué? Yo me imaginaba que lo intentarían leer de alguna forma.
#1 El ataque se basa que los bits de protección lectura escritura(fuse diodes como los llama microchips (proms)) de un pic se guardan en otra zona del chip así que si decapas el chip cubres la zona de la eprom y dejas el resto sin tapar y lo expones radiación ultravioleta como a la viejas memorias 27cXXX provocas que este se reseten los bits de configuración de fabrica y puedes leer contenido de el.
#3 El caso que microchips le llama diodos fusible cuando no lo son los diodos fusible usaban en las primeras roms, ya que se resetea con luz uva que no debería ser posible pero este método ahorra tensiones extras en el programador como pasaba en los de las memorias eeprom que podían llegar a 50v de tensión de borrado.
Lo que hemos perdido y que no se habla mucho es la retención de datos de las memorias ha caído de cojones...
#3 rogramming
Texas Instruments PROM type TBP18SA030N
A typical PROM comes with all bits reading as "1". Burning a fuse bit during programming causes the bit to read as "0". The memory can be programmed just once after manufacturing by "blowing" the fuses, which is an irreversible process.
The bit cell is programmed by applying a high-voltage pulse not encountered during a normal operation across the gate and substrate of the thin oxide transistor (around 6 V for a 2 nm thick oxide, or 30 MV/cm) to break down the oxide between gate and substrate. The positive voltage on the transistor's gate forms an inversion channel in the substrate below the gate, causing a tunneling current to flow through the oxide. The current produces additional traps in the oxide, increasing the current through the oxide and ultimately melting the oxide and forming a conductive channel from gate to substrate. The current required to form the conductive channel is around 100 µA/100 nm2 and the breakdown occurs in approximately 100 µs or less.[6] https://en.wikipedia.org/wiki/Programmable_read-only_memory
Lo que trato decir.
Comentarios
#0: ¿Para qué sirve esto? No troleo, simplemente soy ajeno al tema y sería interesante saber de forma resumida lo que hacen. Porque si, abren el chip, pero... ¿lo borran? ¿Para qué? Yo me imaginaba que lo intentarían leer de alguna forma.
#1 El ataque se basa que los bits de protección lectura escritura(fuse diodes como los llama microchips (proms)) de un pic se guardan en otra zona del chip así que si decapas el chip cubres la zona de la eprom y dejas el resto sin tapar y lo expones radiación ultravioleta como a la viejas memorias 27cXXX provocas que este se reseten los bits de configuración de fabrica y puedes leer contenido de el.
#2: Gracias.
#3 El caso que microchips le llama diodos fusible cuando no lo son los diodos fusible usaban en las primeras roms, ya que se resetea con luz uva que no debería ser posible pero este método ahorra tensiones extras en el programador como pasaba en los de las memorias eeprom que podían llegar a 50v de tensión de borrado.
Lo que hemos perdido y que no se habla mucho es la retención de datos de las memorias ha caído de cojones...
#3 rogramming
Texas Instruments PROM type TBP18SA030N
A typical PROM comes with all bits reading as "1". Burning a fuse bit during programming causes the bit to read as "0". The memory can be programmed just once after manufacturing by "blowing" the fuses, which is an irreversible process.
The bit cell is programmed by applying a high-voltage pulse not encountered during a normal operation across the gate and substrate of the thin oxide transistor (around 6 V for a 2 nm thick oxide, or 30 MV/cm) to break down the oxide between gate and substrate. The positive voltage on the transistor's gate forms an inversion channel in the substrate below the gate, causing a tunneling current to flow through the oxide. The current produces additional traps in the oxide, increasing the current through the oxide and ultimately melting the oxide and forming a conductive channel from gate to substrate. The current required to form the conductive channel is around 100 µA/100 nm2 and the breakdown occurs in approximately 100 µs or less.[6]
https://en.wikipedia.org/wiki/Programmable_read-only_memory
Lo que trato decir.